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化学工学会 第56回秋季大会

Last modified: 2026-05-27 09:54:36

講演プログラム(会場・日程別) : EE会場・第1日 : EE113

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EE 会場(本部棟 3階 2303) ・ 第 1 日(9月16日(火))

ST-26

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
ST-26 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス -構造・機能制御の反応工学-
(13:00~14:40) (座長 西田 哲・羽深 等)
13:00~ 13:40EE113[招待講演] CVD法によるナノレベルで構造を制御した炭素材料・炭素複合材料の開発
(福島大理工) (正)岩村 振一郎
CVD
Carbon
ST-26285
13:40~ 14:00EE115気相作製したTiO2ナノ粒子薄膜のガス検知特性評価
(広大院先進理工) ○(学·技基)原 拓己・ (学·技基)田中 直輝・ (正)久保 優・ (正)島田 学
gas sensor
aerosol particle deposition
plasma CVD
ST-26672
14:00~ 14:20EE116CH4/CO2リフォーミングによるH2リッチガスとCNT同時合成:H2S、H2Oの影響
(京大院工) ○(学)Saconsint Supanida・ (正)佐野 紀彰・ (正)鈴木 哲夫・ (Mahidol U.) Ratchahat Sakhon
catalyst
carbon nanotube
biogas
ST-26944
14:20~ 14:40EE117気相燃焼法で調製したNi触媒におけるCH4ドライ改質反応中の炭素析出に関する検討
(金沢大新学術) ○(正)藤原 翔・ (金沢大理工) 尾形 勇樹・ (正)大坂 侑吾・ (正)辻口 拓也・ (金沢大新学術) (正)児玉 昭雄
Flame spray pyrolysis
Ni catalysts
Dry reforming of methane
ST-26277
14:40~ 15:00休憩
(15:00~17:20) (座長 藤原 翔・玉置 直樹)
15:00~ 15:40EE119[招待講演] 大気圧プラズマを用いたシリカ膜の製膜とガス分離への応用
(広大院先進理工) (正)長澤 寛規
plasma
CVD
gas separation
ST-26731
15:40~ 16:00EE121直流プラズマCVDによるTiSiCN系薄膜の作成及び物性評価
(阪公大院) ○(学)黒木 利津・ (正)齊藤 丈靖・ (正)岡本 尚樹・ (阪公大) 川本 実加
DC plasma CVD
TiSiCN
ST-26914
16:00~ 16:20EE122Growth Dynamics of Bismuth-Based Perovskite Thin Films via Chemical Vapor Deposition
(京大工) ○(海)楊 紫光・ (正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Perovskite solar cell
crystal orientation control
ST-26888
16:20~ 16:40EE123400℃における高熱伝導率AlN膜形成に向けたTMA/NH3系FM-CVDプロセスの検討
(東大院工) ○(学)畠山 大樹・ (正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
FM-CVD
3DIC
AlN
ST-26338
16:40~ 17:00EE124PdによるCo-ALDの成長促進効果に関する研究
(東大院工) ○(正)鄧 玉斌・ (正)山口 潤・ (正)大高 雄平・ (学)永井 総雅・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Nucleation enhancer
ALD
ULSI
ST-26305
17:00~ 17:20EE125HfO2選択成長におけるインヒビターのアルキル鎖長依存性に関する検討
(キオクシア) ○(正)田沼 将一・ 松葉 博・ 浅川 鋼児・ 福水 裕之
Area selective deposition
Inhibitor
ST-26740

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