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5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時:2026-10-03 18:14:01

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キーワード受理件数
Supercritical Fluid Deposition5件*
SiC2件
Copper Deposition2件
Chemical Vapor Deposition2件
Process informatics2件
Atomic Layer Deposition2件
CVD2件
ALD1件

受理
番号
講演題目/発表者キーワード発表形式
88湿式調製Fe/MgO触媒の開発とサブミリメートル長カーボンナノチューブの合成
(早大先進理工) ○(学)松川 慶征・ (正)前 智太郎・ (早大理工総研) (正)大沢 利男・ (パナソニックエナジー) 加藤 正樹・ (早大先進理工) (正)野田 優
Carbon nanotubes
Chemical vapor deposition
Fe/MgO catalyst
P
115触媒源と炭素源の分離加熱とカーボンナノチューブの気相合成
(早大先進理工) ○(学)安藤 弘燿・ (早大理工総研) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotube
floating catalyst chemical vapor deposition
computational fluid dynamics
P
134SiN-ALDにおけるヒドラジンを用いた選択性の制御
(熊大院自/大陽日酸) ○(学)村田 逸人・ (大陽日酸) (法)和田 吉史・ (正)清水 秀治・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Atomic layer deposition
Area selective deposition
Hydrazine
O
202In-situラマン分光計測を駆使したCO2駆動型ZnO形成の速度論的解析
(科学大) ○(正)織田 耕彦・ (学)室之園 相生・ (正)下山 裕介
In-situ Raman spectroscopy
High-pressure CO2
ZnO formation
O
528ALDにおける原料のオンデマンド供給を可能にする高速開閉バルブの動作制御
(熊大院自) ○(学)石田 栞大・ (熊大院自/堀場エステック) 西里 洋・ (熊大院自) (学)小田 翔太・ (堀場エステック) 中家 佑吾・ (熊大半導体) 奈須 錦一・ (熊大先端) 岡島 寛・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Atomic Layer Deposition
Sustainable
Valve
O
592超臨界流体薄膜堆積法の最適制御のためのプロセスインフォマティクス手法論の構築(1)
(熊大工) ○(学)佐内 晴太郎・ (熊大院自) (学)小田 翔太・ (熊大院先端) 橋新 剛・ (熊大産ナノ研) 赤井 一郎・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Process informatics
Physsics-informed Bayesian Optimization
Supercritical fluid deposition
O
603超臨界流体薄膜堆積法の最適制御のためのプロセスインフォマティクス手法論の構築(2)
(熊大院自) ○(学)小田 翔太・ (熊大工) (学)佐内 晴太郎・ (熊大院先端) 橋新 剛・ (熊大産ナノ研) 赤井 一郎・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Process informatics
Physics-informed bayesian optimization
Supercritical fluid deposition
O
604超臨界流体薄膜堆積法を用いた高アスペクト比構造へのCu製膜における高速・均一条件の検討
(熊大院自/東大工) ○(学)中村 有沙・ (熊大院自) (学)近藤 澄弥・ (学)小田 翔太・ (熊大工) 西 優太・ 横山 輝・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Supercritical Fluid Deposition
Copper Deposition
High growth rate
O
639ニューラルネットワークポテンシャルを活用したSiC-CVDの表面反応機構解析
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
Chemical Vapor Deposition
Neural network potential
O
672Qmass測定を活用したSiC-CVDプロセスの反応モデルの検証
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
Quadrupole Mass Spectrometry
O
676TMA/NH3系FM-CVDによる低温AlN製膜と高熱伝導率化の検討
(東大院工) ○(正)大高 雄平・ Lu Yin-Chi・ (学)畠山 大樹・ (正)山口 潤・ (正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
AlN
CVD
3DIC
O
684超臨界流体薄膜堆積法を用いたCu製膜における表面反応速度定数と吸着平衡定数の測定
(熊大院自) ○(学)近藤 澄弥・ (学)小田 翔太・ (熊大院自/東大工) 中村 有沙・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Supercritical Fluid Deposition
Copper Deposition
Langmuir-Hinshelwood reaction kinetics
O
696テラヘルツ波デバイス形成のための超臨界流体薄膜堆積法の構築
(熊大院自) ○(学)上原 光稀・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Supercritical Fluid Deposition
Supecritical Fluid Extraction
Copper Deposition on Polymer
O
700Pd(hfac)2を用いたPd-ALDにおける初期核形成過程の検討
(東大工) ○(学)森 亘・ (東大院工) (学)永井 総雅・ (正)Deng Yubin・ (正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
palladium
ALD
nucleation
P
712ニューラルネットワークポテンシャルを用いた新規Co原料によるCo-ALDプロセスの検討
(東大工) ○(学)谷地 啓輔・ (東大院工) (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Co ALD
Newral Network Potential
Reaction Design
P

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